发明名称 Halbleiterleistungsmodul
摘要 Halbleiterleistungsmodul, das durch Verbinden eines Basissubstrats und eines keramischen Isoliersubstrats und eines Halbleiterchips mit Lötmetall ausgebildet ist, wobei zum Löten des keramischen Isoliersubstrats und des Basissubstrats bleifreies Lötmetall verwendet wird, das zusammengesetzt ist aus: Ag: 2 Massenprozent bis 4,5 Massenprozent, Cu: 0 Massenprozent bis 2,0 Massenprozent, In: 3 Massenprozent bis 7 Massenprozent und zum Rest Sn.
申请公布号 DE102007063793(B4) 申请公布日期 2016.02.25
申请号 DE20071063793 申请日期 2007.04.25
申请人 HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. 发明人 SHIMOKAWA, HANAE;SOGA, TASAO;KAWASE, DAISUKE;SAITO, KATSUAKI;SUZUKI, KAZUHIRO;MORISAKI, EIICHI
分类号 H01L21/58;H01L23/373 主分类号 H01L21/58
代理机构 代理人
主权项
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