摘要 |
Halbleiterleistungsmodul, das durch Verbinden eines Basissubstrats und eines keramischen Isoliersubstrats und eines Halbleiterchips mit Lötmetall ausgebildet ist, wobei zum Löten des keramischen Isoliersubstrats und des Basissubstrats bleifreies Lötmetall verwendet wird, das zusammengesetzt ist aus: Ag: 2 Massenprozent bis 4,5 Massenprozent, Cu: 0 Massenprozent bis 2,0 Massenprozent, In: 3 Massenprozent bis 7 Massenprozent und zum Rest Sn. |
申请人 |
HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. |
发明人 |
SHIMOKAWA, HANAE;SOGA, TASAO;KAWASE, DAISUKE;SAITO, KATSUAKI;SUZUKI, KAZUHIRO;MORISAKI, EIICHI |