Integrierter Transistor

摘要

Es ist ein integrierter Transistor für eine elektrische Vorrichtung, etwa eine DRAM-Speicherzelle, und ein Verfahren zur Herstellung desselben vorgesehen. Ein Graben wird in einem Substrat ausgebildet und ein Gate-Dielektrikum und eine Gate-Elektrode werden in dem Graben des Substrats ausgebildet. Source/Drain-Bereiche werden in dem Substrat auf gegenüberliegenden Seiten des Grabens ausgebildet. In einer Ausführungsform wird der Source- oder der Drain-Bereich mit einem Speicherknoten verbunden und der andere des Sourüce- und des Drain-Bereichs wird mit einer Bitleitung verbunden. In dieser Ausführungsform kann die Gate-Elektrode mit einer Wortleitung verbunden werden, um eine DRAM-Speicherzelle auszubilden. Ein dielektrischer Wachstumsmodifikator kann in Seitenwände des Grabens implantiert werden, um die Dicke des Gate-Dielektrikums einzustellen.