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Herstellungsverfahren für einen epitaktischen Wafer, wobei in einer Reaktionskammer eine Vertiefung und ein diese Vertiefung umgebender, ringförmiger gestufter Abschnitt aufweisender Suszeptor angeordnet sind, wobei in der Bodenwand der vorgenannten Vertiefung mit Ausnahme des vorgenannten gestuften Abschnitts zahlreiche durchgehenden Löcher vorgesehen sind und mit durch die vorgenannten durchgehenden Löcher gesteckten Hubstifte der Wafer vorübergehend gehalten wird und anschließend dieser vorgenannte Wafer mit der Unterseite seines Außenrandes auf den vorgenannten gestuften Abschnitt gelegt wird, so dass der vorgenannte Wafer in der vorgenannten Vertiefung aufgenommen wird, und durch Einleiten des gasförmigen Ausgangsmaterials in die Reaktionskammer auf der Oberfläche des in der Vertiefung aufgenommenen vorgenannten Wafer eine epitaktische Schicht ausgebildet wird, und bei diesem Herstellungsverfahren für den vorgenannten Wafer bei der Ausbildung der vorgenannten epitaktischen Schicht auf der Oberfläche des Wafer die vorgenannten Hubstifte über die vorgenannte Bodenwand nach oben hin hervorstehen, wobei die Höhe h des Scheitelteils der vorgenannten Hubstifte relativ zur Oberseite der Bodenwand als Bezugspunkt von einer 0 mm überschreitenden Stellung ausgehend bis unmittelbar vor Berührung der Hubstifte mit dem Wafer eingestellt wird, und in einem Zustand, in dem der Hubstift den abgeschrägten Bereich des durchgehenden Lochs berührt, die Höhe der Mitte des Hubstifts über der Höhe der Bodenwand des Suszeptors liegt; dadurch gekennzeichnet, dass die Bodenfläche des Suszeptors eben ist, und die Hubstifte eine zum Wafer gewölbte, kugelförmige Oberfläche aufweisen. |
