MTJ-Spin-Hall-MRAM-Bit-Zelle und -Anordnung

摘要

Beschrieben ist eine Vorrichtung 1T-1-Magnettunnelübergangs-(MTJ)Spin-Hall-Effekt-(SHE)Magnetdirektzugriffsspeicher-(MRAM)Bit-Zelle und -Anordnung und ein Verfahren zum Bilden einer solchen. Die Vorrichtung umfasst Folgendes: eine Select-Leitung; eine Zwischenverbindung mit Spin-Hall-Effekt-(SHE)Material, wobei die Zwischenverbindung mit einer Schreib-Bitleitung gekoppelt ist; ein Transistor, der mit der Select-Leitung und der Zwischenverbindung gekoppelt ist, wobei der Transistor über eine Wortleitung steuerbar ist; und eine MTJ-Vorrichtung mit einer freien Magnetschicht, die mit der Zwischenverbindung gekoppelt ist.