| 发明名称 | 化学机械抛光浆料组合物及使用其制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种用于化学机械抛光的浆料组合物，其包含0.1wt％至20wt％的表面经氨基硅烷处理的抛光剂；0.001wt％至5wt％的添加剂，其选自氨基酸、氨基酸衍生物、其盐，和它们的组合；0.0001wt％至0.5wt％的缓蚀剂；和0.01wt％至5wt％的氧化剂，其余的为溶剂。所述用于化学机械抛光的浆料组合物对于氧化硅膜具有显著高的抛光速率，能够选择性地防止去除氮化硅膜，不导致不均衡的抛光，提供优异的平坦化度，具有优异的随时间的稳定性和分散稳定性，产生较少的颗粒和划痕，且产生令人非常满意的阻挡金属膜和氧化物膜的抛光表面。 | ||
| 申请公布号 | CN102585704B | 申请公布日期 | 2016.02.24 |
| 申请号 | CN201110433308.1 | 申请日期 | 2011.12.16 |
| 申请人 | 韩国首尔步瑞株式会社 | 发明人 | 韩德洙;金桓铁;金錫主;朴烋范 |
| 分类号 | C09G1/02(2006.01)I;H01L21/321(2006.01)I | 主分类号 | C09G1/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 吴小瑛;任晓华 |
| 主权项 | 一种用于化学机械抛光的浆料组合物，其包含：0.1wt％至20wt％的表面经氨基硅烷处理的抛光剂；0.001wt％至5wt％的丙氨酸；0.0001wt％至0.5wt％的缓蚀剂；和0.01wt％至5wt％的氧化剂；其余为溶剂，其中所述用于化学机械抛光的浆料组合物的pH值为3至3.9，对氧化硅膜与对氮化硅膜的抛光选择比为14.95至50，其中通过使用所述用于化学机械抛光的浆料组合物形成硅通孔。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道城南市 | ||