| 发明名称 | 高纯度氨及其制造方法以及高纯度氨制造装置 | ||
| 摘要 | 本发明的课题是提供一种可以有效率地生产发光特性优异的GaN系化合物半导体的高纯度氨及其制造方法。此外，提供制造上述高纯度氨的高纯度氨制造装置。作为解决本发明课题的方法为在联合生产甲醇和氨的工艺中制造的粗制氨由于含有分子中具有氧原子的烃化合物，因此通过进行精密蒸馏，从而制造上述烃化合物的含有率为1体积ppm以下的高纯度氨。如果将该高纯度氨作为氮源而形成GaN系化合物，使用该GaN系化合物来制造GaN系化合物半导体元件，则可以有效率地生产发光特性优异的GaN系化合物半导体。 | ||
| 申请公布号 | CN103896306B | 申请公布日期 | 2016.02.24 |
| 申请号 | CN201310728108.8 | 申请日期 | 2013.12.25 |
| 申请人 | 昭和电工株式会社 | 发明人 | 星野恭之;村川美奈子;跡边仁志;二瓶直史 |
| 分类号 | C01C1/12(2006.01)I;C01C1/04(2006.01)I;B01D3/02(2006.01)I;C07C31/04(2006.01)I;C07C29/151(2006.01)I | 主分类号 | C01C1/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 段承恩;田欣 |
| 主权项 | 一种高纯度氨的制造方法，其特征在于，将分子中具有氧原子的烃化合物的含有率超过1体积ppm的粗制氨进行蒸馏，从而除去所述烃化合物，获得所述烃化合物的含有率为1体积ppm以下的高纯度氨。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||