发明名称 | 加热装置、衬底处理装置以及半导体装置的制造方法 | ||
摘要 | 本发明提供加热装置、处理衬底的衬底处理装置、以及半导体装置的制造方法,其课题在于,抑制发热体的偏移,并抑制基于发热体的热变形的保持件的剪切,抑制发热体发生了热膨胀时的发热体与隔热体的接触,降低加热装置的构成部件的损伤。加热装置具有:形成为环状的发热体;以围绕发热体的外周的方式设置的隔热体;将发热体固定在隔热体的内壁上的固定部,设定为:至少在发热体为室温状态时,发热体与隔热体的内壁之间的距离随着从固定部远离而变大。 | ||
申请公布号 | CN102709213B | 申请公布日期 | 2016.02.24 |
申请号 | CN201210129802.3 | 申请日期 | 2010.07.21 |
申请人 | 株式会社日立国际电气 | 发明人 | 村田等;小杉哲也;杉浦忍;上野正昭 |
分类号 | H01L21/67(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/67(2006.01)I |
代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 陈伟;金杨 |
主权项 | 一种加热装置,具有:形成为环状的发热体;以围绕所述发热体的外周的方式设置的隔热体;将所述发热体固定在所述隔热体的内壁上的固定部,其特征在于,设定为:至少在所述发热体为室温状态时,所述发热体与所述隔热体的内壁之间的距离随着从所述固定部远离而变大,且至少在所述发热体为衬底处理时的温度状态时,所述发热体与所述隔热体的内壁之间的距离在所述发热体的周向范围内相等。 | ||
地址 | 日本东京都 |