TFT阵列基板的制备方法、TFT阵列基板及显示装置

摘要

本发明提供了一种TFT阵列基板的制备方法、TFT阵列基板及显示装置，该制备方法包括以下步骤：在衬底上形成栅极图案层；在栅极图案层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成图案化的多晶硅层，图案化的多晶硅层与栅极图案层连接；在图案化的多晶硅层的两侧分别形成源极重掺杂区和漏极重掺杂区，图案化的多晶硅层的中部区域为沟道区；在图案化的多晶硅层上形成隔离层；在隔离层上，采用一光罩通过光刻工艺以形成源、漏极图案层，源、漏极图案层与图案化的多晶硅层连接，光罩遮挡沟道区的一侧，采用同一光罩在未被遮挡的沟道区的另一侧形成轻掺杂区。本发明能够降低生产成本，且具有很强的设计灵活性。

主权项

一种TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上形成栅极图案层；在所述栅极图案层上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成图案化的多晶硅层，所述图案化的多晶硅层与所述栅极图案层连接；在所述图案化的多晶硅层的两侧分别形成源极重掺杂区和漏极重掺杂区，所述图案化的多晶硅层的中部区域为沟道区；在所述图案化的多晶硅层上形成隔离层；在所述隔离层上，采用一光罩通过光刻工艺形成源、漏极图案层，所述源、漏极图案层与所述图案化的多晶硅层连接，所述光罩遮挡所述沟道区的一侧，采用同一所述光罩在未被遮挡的所述沟道区的另一侧形成轻掺杂区。