基于共轭聚合物-纳米晶叠层式自装配功能薄膜的光电探测器阵列制造方法

摘要

本发明公开了一种基于共轭聚合物-纳米晶叠层式自装配功能薄膜的光电探测器阵列制造方法：采用光刻技术将光电探测器阵列阳极图案转移到玻璃衬底表面的ITO薄膜上；对形成了阳极图案的ITO薄膜进行表面改性使其带负电，然后将衬底交替放入带正电的共轭聚合物稀释溶液和带负电的纳米晶稀释溶液中浸泡，循环进行直至衬底ITO薄膜表面沉积的自装配薄膜达到适当的厚度；采用热蒸发技术在自装配薄膜表面连续沉积LiF和Al薄膜后即得到基于共轭聚合物-纳米晶叠层式自装配功能薄膜的光电探测器阵列。这种光电探测器阵列成本低廉，可以通过改变自装配薄膜的组元材料、叠层数目等方式有效地优化或调节光电探测器性能，获得高性能器件。

主权项

基于共轭聚合物‑纳米晶叠层式自装配功能薄膜的光电探测器阵列制造方法，其特征在于，包括以下步骤：A:衬底ITO薄膜上光电探测器阵列阳极图案的形成；1)采用旋涂技术将光刻胶均匀地涂在清洗过的玻璃‑ITO衬底上；2)采用光刻技术将光电探测器阵列阳极图案转移到玻璃衬底表面的ITO薄膜上；B:共轭聚合物‑纳米晶叠层式自装配功能薄膜的制备；3)将步骤2)所得的形成了阳极图案的ITO衬底先后放入丙酮和异丙醇中，用超声波清洗仪清洗，最后用氮气枪吹干衬底；4)对经步骤3)处理后的衬底表面的ITO薄膜进行表面改性使其带负电；5)将经步骤4)处理后的衬底放入带正电的共轭聚合物稀释溶液中浸泡一段时间，取出后清洗，去除表面疏松吸附的物质；6)将经步骤5)处理后的衬底放入另一带负电的纳米晶稀释溶液中浸泡，取出后再清洗；7)循环进行步骤5)和步骤6)直至衬底ITO薄膜表面沉积的共轭聚合物‑纳米晶叠层式自装配薄膜达到厚度50nm‑200nm；C:光电探测器阵列阴极结构的形成；8)采用热蒸发技术在步骤7)获得的自装配薄膜表面沉积LiF薄膜；9)采用热蒸发技术在步骤8)获得的LiF薄膜表面沉积Al薄膜200nm。