一次先镀后蚀金属框减法埋芯片倒装凸点结构及工艺方法

摘要

本发明涉及一种一次先镀后蚀金属框减法埋芯片倒装凸点结构及工艺方法，其特征在于所述结构包括金属基板框，在所述金属基板框内部设置有基岛和引脚，所述基岛的背面和引脚的台阶面通过底部填充胶倒装有芯片，所述基岛外围的区域、基岛和引脚之间的区域、引脚与引脚之间的区域、基岛和引脚上部的区域、基岛和引脚下部的区域以及芯片外均包封有塑封料，在所述金属基板框的表面被覆抗氧化剂，所述塑封料与金属基板框上下表面的被覆抗氧化剂(OSP)齐平，在所述引脚背面设置有金属球。本发明能够解决传统金属引线框的板厚之中无法埋入物件而限制金属引线框的功能性和应用性能。

主权项

一种一次先镀后蚀金属框减法埋芯片倒装凸点结构的工艺方法，所述方法包括如下步骤：步骤一、取金属基板步骤二、贴光阻膜作业在金属基板的正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光阻膜；步骤三、金属基板正面及背面去除部分光阻膜利用曝光显影设备将步骤二完成贴光阻膜作业的金属基板正面及背面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜；步骤四、被覆抗氧化剂在步骤三中金属基板正面及背面去除部分光阻膜的区域内进行被覆抗氧化剂；步骤五、去除光阻膜去除金属基板正面及背面的光阻膜；步骤六、贴光阻膜作业在金属基板的正面及背面贴上可进行曝光显影的光阻膜；步骤七、金属基板正面及背面去除部分光阻膜利用曝光显影设备将步骤六完成贴光阻膜作业的金属基板正面及背面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，具体是去除被覆抗氧化剂以外的光阻膜，以露出金属基板正面及背面后续需要进行蚀刻的区域图形；步骤八、化学蚀刻在步骤七中金属基板正面及背面去除部分光阻膜的区域内进行不同深度的化学蚀刻，化学蚀刻完成后即形成相对应的基岛和台阶状引脚；步骤九、去除光阻膜去除金属基板正面及背面的光阻膜；步骤十、装片在步骤九的基岛背面和引脚台阶面将已完成表面有凸点的芯片进行倒装，完成后并通过底部填充胶进行底部填充保护；步骤十一、包封对步骤十的金属基板内部采用塑封料进行塑封，塑封料与金属基板的正面和背面均齐平；步骤十二、植球在步骤十一的引脚背面植入金属球。