发明名称 |
无栅AlInN/GaN场效应晶体管传感器及其制备方法 |
摘要 |
本发明提出了一种无栅AlInN/GaN场效应晶体管传感器,在AlInN/GaN异质结基片上蒸镀有电极,还包括钝化层,所述钝化层覆盖整个源端电极、源端电极PAD与漏端电极、漏端电极PAD,在覆盖源端电极PAD与漏端电极PAD的钝化层上刻蚀出窗口,深度至PAD显露;还包括离子印迹聚合物层,所述离子印迹聚合物层位于AlInN层上,含有印迹孔穴。还公开了无栅AlInN/GaN场效应晶体管传感器的制备方法。本发明制备的导电高聚物纳米复合材料具有单一离子识别的性能,可以提高器件的选择性吸附、抗干扰能力;与AlGaN/GaN场效应晶体管传感器相比,其电流响应更大,具有高灵敏性的特点。 |
申请公布号 |
CN105353019A |
申请公布日期 |
2016.02.24 |
申请号 |
CN201510781080.3 |
申请日期 |
2015.11.13 |
申请人 |
南京大学 |
发明人 |
陈敦军;黄翔宇;贾秀玲;张荣;郑有炓 |
分类号 |
G01N27/414(2006.01)I;H01L29/772(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;C08F292/00(2006.01)I;C08F222/38(2006.01)I;C08F226/06(2006.01)I |
主分类号 |
G01N27/414(2006.01)I |
代理机构 |
北京市京大律师事务所 11321 |
代理人 |
王凝;金凤 |
主权项 |
一种无栅AlInN/GaN场效应晶体管传感器,其结构从下至上依次为:衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、AlInN层;还包括源端电极、与源端电极相连的源端电极PAD,漏端电极、与漏端电极相连的漏端电极PAD,所述源端电极、源端电极PAD、漏端电极与漏端电极PAD分别沉积在AlInN层上,还包括钝化层,所述钝化层覆盖整个源端电极、源端电极PAD与漏端电极、漏端电极PAD,在覆盖源端电极PAD与漏端电极PAD的钝化层上刻蚀出窗口,深度至PAD显露;其特征在于:还包括离子印迹聚合物层,所述离子印迹聚合物层位于AlInN层上,源端电极钝化层与漏端电极钝化层之间的区域,所述离子印迹聚合物层含有印迹孔穴。 |
地址 |
210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号 |