| 发明名称 | 过渡金属卡宾络合物及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供下述通式(1)所示的过渡金属卡宾络合物及其制造方法，通式(1)中，M表示钼原子等，R<sup>1</sup>表示任选具有取代基的碳原子数1～20的烷基等，L<sup>1</sup>～L<sup>3</sup>表示选自卤素基团等的配体，R<sup>2</sup>及R<sup>3</sup>表示氢原子、任选具有取代基的碳原子数1～20的烷基等，A表示氮原子等，R<sup>4</sup>～R<sup>7</sup>表示任选具有取代基的碳原子数1～20的烷基等。<img file="DDA0000902275740000011.GIF" wi="1106" he="437" /> | ||
| 申请公布号 | CN105358564A | 申请公布日期 | 2016.02.24 |
| 申请号 | CN201480038983.6 | 申请日期 | 2014.07.17 |
| 申请人 | 日本瑞翁株式会社 | 发明人 | 早野重孝 |
| 分类号 | C07F11/00(2006.01)I;C07F19/00(2006.01)I;C08F4/78(2006.01)I | 主分类号 | C07F11/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市嘉元知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11484 | 代理人 | 张永新 |
| 主权项 | 下述通式(1)所示的过渡金属卡宾络合物，<img file="FDA0000902275720000011.GIF" wi="1132" he="447" />通式(1)中，M表示钼原子或钨原子，R<sup>1</sup>表示任选具有取代基的碳原子数1～20的烷基或任选具有取代基的碳原子数6～20的芳基，L<sup>1</sup>、L<sup>2</sup>及L<sup>3</sup>表示选自卤素基团、任选具有取代基的烷氧基及任选具有取代基的芳氧基中的配体，彼此相同或不同，或者至少2个相互键合并与M共同形成环结构，R<sup>2</sup>及R<sup>3</sup>表示氢原子、任选具有取代基的碳原子数1～20的烷基或任选具有取代基的碳原子数6～20的芳基，彼此相同或不同，A表示氮原子或磷原子，R<sup>4</sup>、R<sup>5</sup>、R<sup>6</sup>及R<sup>7</sup>表示任选具有取代基的碳原子数1～20的烷基或任选具有取代基的碳原子数6～20的芳基，彼此相同或不同，或者至少2个相互键合并与A共同形成环结构。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||