| 发明名称 | 替代栅极流中的部分凹陷沟道核心晶体管 | ||
| 摘要 | 在所描述的例子中，集成电路(100)包括衬底(102)。第一MOS晶体管(106)包括布置在第一介电层(148)上的第一替代栅极(152)以及第一沟道。第一沟道沿水平表面和竖直表面两者邻近第一介电层(148)延伸。第二MOS晶体管(108)包括布置在第二介电层(150)上的第二替代栅极(154)以及第二沟道。第二沟道沿水平表面而不是竖直表面邻近第二介电层(150)延伸。第一介电层(148)和第二介电层(150)具有大体上相同的组成。第一替代栅极(152)和第二替代栅极(154)具有大体上相同的组成。第一MOS晶体管(106)和第二MOS晶体管(108)具有相同极性。 | ||
| 申请公布号 | CN105359260A | 申请公布日期 | 2016.02.24 |
| 申请号 | CN201480037799.X | 申请日期 | 2014.07.02 |
| 申请人 | 德克萨斯仪器股份有限公司 | 发明人 | M·楠达库玛 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人 | 赵志刚;孙娜燕 |
| 主权项 | 一种集成电路，所述集成电路包括：衬底，所述衬底包括半导体材料；第一金属氧化物半导体晶体管，即第一MOS晶体管，所述第一MOS晶体管包括布置在第一介电层上的第一替代栅极以及第一沟道，其中所述第一沟道沿水平表面和竖直表面两者邻近所述第一介电层延伸；和第二MOS晶体管，所述第二MOS晶体管包括布置在第二介电层上的第二替代栅极以及第二沟道，其中所述第二沟道沿水平表面而不是竖直表面邻近所述第二介电层延伸；其中所述第一介电层和所述第二介电层具有大体上相同的组成，所述第一替代栅极和所述第二替代栅极具有大体上相同的组成，以及所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管具有相同极性。 | ||
| 地址 | 美国德克萨斯州 | ||