| 发明名称 | 场板沟槽FET以及半导体构件 | ||
| 摘要 | 根据本发明提供一种场板沟槽FET(50)，其包括：衬底(40)；至少部分在衬底(40)下方掩埋的栅极(30)；以及布置在栅极(30)下方的场板(20)，其中不仅栅极(30)而且场板(20)布置在衬底(40)中的沟道(10)内并且由绝缘体(5)包围。根据本发明，在沟道(10)下方，p掺杂区域(2)布置在衬底(40)中。此外提供一种半导体构件(100)，其包括：衬底(40)和多个布置在衬底(40)内的根据本发明的场板沟槽FET(50)。 | ||
| 申请公布号 | CN105359277A | 申请公布日期 | 2016.02.24 |
| 申请号 | CN201480037776.9 | 申请日期 | 2014.05.13 |
| 申请人 | 罗伯特·博世有限公司 | 发明人 | T·赫尔;F·利皮斯基;I·马提尼;C·托尔克斯多夫 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 曾立 |
| 主权项 | 一种场板沟槽FET(50)，所述场板沟槽FET包括：衬底(40)；至少部分掩埋在所述衬底(40)内的栅极(30)；布置在所述栅极(30)下方的场板(20)，其中，不仅所述栅极(30)而且所述场板(20)布置在所述衬底(40)中的沟道(10)内并且由绝缘体(5)包围，其特征在于，在所述沟道(10)下方，p掺杂区域(2)布置在所述衬底(40)内。 | ||
| 地址 | 德国斯图加特 | ||