发明名称 MASK BLANK SUBSTRATE MASK BLANK TRANSFER MASK MANUFACTURING METHODS THEREFOR AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 본 발명은 마스크 블랭크용 기판의 제조 스루풋의 저하를 억제하면서, 실효적으로 매우 높은 주표면의 평탄도를 갖는 마스크 블랭크용 기판, 마스크 블랭크, 전사용 마스크를 제공하는 것이다. 또, 이들의 제조방법을 제공하는 것이다. 반경과 관련되는 변수의 차수가 2차 이하인 항만으로 구성되고, 또한 반경과 관련되는 변수의 차수가 2차인 항을 1 이상 포함하는 제르니케 다항식에 의해 정의되는 광학적으로 실효적인 평탄 기준면이 되는 가상 기준면을 설정하고, 그 기준면과 마스크 블랭크용 기판의 실측형상의 차분의 최대치와 최소치의 차이의 데이터(PV치)가 노광 파장(λ)의 1/8 이하가 되는 마스크 블랭크용 기판을 선별한다.
申请公布号 KR101597186(B1) 申请公布日期 2016.02.24
申请号 KR20157024697 申请日期 2014.06.19
申请人 호야 가부시키가이샤 发明人 다나베 마사루
分类号 C03C19/00;G03F1/60 主分类号 C03C19/00
代理机构 代理人
主权项
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