发明名称 构造电路的方法和电路
摘要 本发明涉及构造电路的方法和电路。建议了一种用于构造具有至少一个半导体芯片(130)的电路的方法,所述至少一个半导体芯片(130)被注入有浇注材料(140)。该方法包括施加产生电流的层装置(370)的步骤,用于在具有所述至少一个半导体芯片(130)的电路的元件上构造电化学元件。
申请公布号 CN102403277B 申请公布日期 2016.02.24
申请号 CN201110269152.8 申请日期 2011.09.13
申请人 罗伯特·博世有限公司 发明人 T.皮尔克;J.布茨;A.弗兰克;F.哈格;H.韦伯;A.赫希斯特;S.克尼斯
分类号 H01L21/98(2006.01)I;H01L23/538(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L25/065(2006.01)I 主分类号 H01L21/98(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 胡莉莉;李家麟
主权项 一种用于构造具有至少一个半导体芯片(130)的电路的方法,所述至少一个半导体芯片(130)被注入有浇注材料(140),该方法具有如下步骤:施加(805;915;1025;835;1145)产生电流的层装置(370;470;570;670;770),用于在具有所述至少一个半导体芯片(130)的电路的元件上构造电化学元件,其中,施加(805;915;1025;835;1145)的步骤在以下步骤之前、之后或者与以下步骤并行地进行:将至少一个半导体芯片(130)以所述至少一个半导体芯片(130)的接触侧安置(810)在支承体衬底(110)上的步骤;给支承体衬底上的所述至少一个半导体芯片注入(820)有浇注材料(140)的步骤;将支承体衬底从所述至少一个半导体芯片脱离(830)的步骤,其中所述至少一个半导体芯片的接触侧被显露;和/或在所述至少一个半导体芯片的接触侧上形成(1140)布线层(250)的步骤。
地址 德国斯图加特