发明名称 |
构造电路的方法和电路 |
摘要 |
本发明涉及构造电路的方法和电路。建议了一种用于构造具有至少一个半导体芯片(130)的电路的方法,所述至少一个半导体芯片(130)被注入有浇注材料(140)。该方法包括施加产生电流的层装置(370)的步骤,用于在具有所述至少一个半导体芯片(130)的电路的元件上构造电化学元件。 |
申请公布号 |
CN102403277B |
申请公布日期 |
2016.02.24 |
申请号 |
CN201110269152.8 |
申请日期 |
2011.09.13 |
申请人 |
罗伯特·博世有限公司 |
发明人 |
T.皮尔克;J.布茨;A.弗兰克;F.哈格;H.韦伯;A.赫希斯特;S.克尼斯 |
分类号 |
H01L21/98(2006.01)I;H01L23/538(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L25/065(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/98(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
胡莉莉;李家麟 |
主权项 |
一种用于构造具有至少一个半导体芯片(130)的电路的方法,所述至少一个半导体芯片(130)被注入有浇注材料(140),该方法具有如下步骤:施加(805;915;1025;835;1145)产生电流的层装置(370;470;570;670;770),用于在具有所述至少一个半导体芯片(130)的电路的元件上构造电化学元件,其中,施加(805;915;1025;835;1145)的步骤在以下步骤之前、之后或者与以下步骤并行地进行:将至少一个半导体芯片(130)以所述至少一个半导体芯片(130)的接触侧安置(810)在支承体衬底(110)上的步骤;给支承体衬底上的所述至少一个半导体芯片注入(820)有浇注材料(140)的步骤;将支承体衬底从所述至少一个半导体芯片脱离(830)的步骤,其中所述至少一个半导体芯片的接触侧被显露;和/或在所述至少一个半导体芯片的接触侧上形成(1140)布线层(250)的步骤。 |
地址 |
德国斯图加特 |