N/P边界效应减小的金属栅极晶体管

摘要

本发明提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括在衬底上方形成多个伪栅极。伪栅极沿着第一轴延伸。该方法包括在伪栅极上方形成掩模层。掩模层限定沿着不同于第一轴的第二轴延伸的伸长开口。开口暴露出伪栅极的第一部并保护伪栅极的第二部。开口的尖端部的宽度大于开口的非尖端部的宽度。采用光学邻近校正(OPC)工艺形成掩模层。该方法包括用多个第一金属栅极替换伪栅极的第一部。该方法包括用不同于第一金属栅极的多个第二金属栅极替换伪栅极的第二部。本发明提供了N/P边界效应减小的金属栅极晶体管。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成第一伪栅极和第二伪栅极，所述第一伪栅极和所述第二伪栅极每一个都在第一方向上延伸；在所述第一伪栅极和所述第二伪栅极上方形成经图案化的掩模，所述经图案化的掩模暴露出所述第一伪栅极的第一段和所述第二伪栅极的第二段，同时覆盖所述第一伪栅极的第三段和所述第二伪栅极的第四段，其中，以使得所述第一段和所述第二段具有明显不同的长度的方式实施形成所述掩模的步骤，所述经图案化的掩模限定在不同于所述第一方向的第二方向上延伸的伸长轮廓；分别用第一金属栅极和第二金属栅极替换所述第一段和所述第二段，所述第一金属栅极和所述第二金属栅极包含第一类型金属材料；以及分别用第三金属栅极和第四金属栅极替换所述第三段和所述第四段，所述第三金属栅极和所述第四金属栅极包含不同于所述第一类型金属材料的第二类型金属材料。