高密度多层线路芯片倒装封装结构及制作方法

摘要

本发明涉及一种新型高密度多层线路芯片倒装封装结构及其制造方法，所述结构包括它包括层线路层（10）、芯片（2）和二层线路层（11），所述一层线路层（10）和绝缘材料（6）背面设置有外层油墨层（9），所述外引脚（7）处设置有金属球（8），所述二层线路层（11）正面设置有内引脚（12），所述二层线路层（11）和内引脚（12）周围设置有内层油墨层（1），所述芯片（2）倒装于内引脚（12）正面，所述芯片（2）外围包封有塑封料（4）。本发明的有益效果是：降低了芯片封装载板的厚度，实现超薄高密度封装；可靠性的等级提高；真正地做到高密度线路的技术能力；可彻底解决传统基板在封装工艺中的翘曲问题。

主权项

一种高密度多层线路芯片倒装封装结构的制造方法，其特征在于所述方法包括以下工艺步骤：步骤一、取金属载板步骤二、金属载板表面预镀铜材在金属载板表面电镀一层铜材薄膜，步骤三、贴光阻膜显影开窗在步骤二完成预镀铜材薄膜的金属载板的正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光阻膜，利用曝光显影设备将金属载板正面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属载板正面后续需要进行第一层线路层电镀的区域图形，步骤四、电镀第一层线路层在步骤三中金属载板正面去除部分光阻膜的区域内电镀上金属线路层作为第一层线路层；步骤五、去除光阻膜去除金属载板表面的光阻膜，步骤六、贴光阻膜显影开窗在完成第一层线路层的线路板的正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光阻膜，利用曝光显影设备将金属载板正面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出线路板正面后续需要进行铜柱层电镀的区域图形；步骤七、电镀铜柱层在步骤六中线路板正面去除部分光阻膜的区域内电镀上金属线路层作为铜柱层；步骤八、去除光阻膜去除线路板表面的光阻膜，步骤九、覆盖绝缘材料层在线路板表面覆盖一层绝缘材料，步骤十、绝缘材料表面减薄将绝缘材料表面进行机械减薄，直到露出铜柱层为止；步骤十一、绝缘材料表面金属化对绝缘材料表面进行金属化处理，使其表面后续能进行电镀；步骤十二、贴光阻膜显影开窗在步骤十一完成金属化的线路板正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光阻膜，利用曝光显影设备将线路板正面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出线路板正面后续需要进行第二层线路层电镀的区域图形；步骤十三、电镀第二层线路层在步骤十二中线路板正面去除部分光阻膜的区域内电镀上金属线路层作为第二层线路层；步骤十四、去除光阻膜去除线路板表面的光阻膜，步骤十五、快速蚀刻对线路板正面进行快速蚀刻，去除第二层线路层以外的金属；步骤十六、油墨曝光显影在第二层线路层的表面进行油墨曝光显影，以露出第二层线路层上需要电镀的键合区；步骤十七、进行单层或多层金属电镀在步骤十六中第二层线路层正面露出的电镀键合区进行单层或多层金属电镀，形成内引脚，步骤十八、装片将芯片倒装于第二层线路层正面芯片贴装区，步骤十九、包封在线路板正面采用塑封料进行塑封，步骤二十、去除金属载板将塑封好的线路板背面进行蚀刻，去除金属载板，露出外引脚，步骤二十一、油墨曝光显影并做有机层保护在第一层线路层背面进行油墨曝光显影，以露出焊区需要的外引脚，在露出的外引脚处进行金属有机层保护；步骤二十二、植球在去除金属载板后的线路板背面植球处植入金属球，使金属球与外引脚背面相接触，步骤二十三、切割成品将步骤二十二完成植球的半成品进行切割作业，使原本以阵列式集合体方式集成在一起并含有芯片的塑封体模块一颗颗切割独立开来。