| 发明名称 | PTC元件和发热模块 | ||
| 摘要 | 提供了一种PTC元件，其通过将贱金属系电极焙烧至半导体陶瓷组合物来形成，其中所述半导体陶瓷组合物具有由BaTiO<sub>3</sub>型氧化物组成的钙钛矿结构，所述贱金属系电极包含作为金属组分的Al和Ni的至少一种来作为主要组分，并且也至少包含B；并且具有与所述半导体陶瓷组合物的母相相比较低的电阻的低电阻层形成在所述半导体陶瓷组合物的所述贱金属系电极侧上。 | ||
| 申请公布号 | CN105359227A | 申请公布日期 | 2016.02.24 |
| 申请号 | CN201480037609.4 | 申请日期 | 2014.07.01 |
| 申请人 | 日立金属株式会社 | 发明人 | 猪野健太郎;岛田武司 |
| 分类号 | H01C7/02(2006.01)I | 主分类号 | H01C7/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种PTC元件，其中贱金属系电极通过焙烧形成在半导体陶瓷组合物上，其中所述半导体陶瓷组合物具有由BaTiO<sub>3</sub>型氧化物组成的钙钛矿结构，所述贱金属系电极包含作为金属组分的Al和Ni的至少一种来作为主要组分，并且也至少包含B，并且具有与所述半导体陶瓷组合物的母相相比较小的电阻的低电阻层形成在所述半导体陶瓷组合物的贱金属系电极侧。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||