发明名称 |
一种柔性CIGS薄膜太阳电池的背电极结构 |
摘要 |
一种柔性CIGS薄膜太阳电池的背电极结构,其制备方法为在柔性衬底上通过磁控溅射法沉积多层Mo薄膜作为背电极,随后在Mo背电极上依次制备CIGS吸收层、CdS缓冲层、本征ZnO层、AZO层、Ni-Al栅电极,形成结构为柔性衬底/多层Mo背电极/CIGS吸收层/CdS缓冲层/i-ZnO窗口层/AZO透明导电层/Ni-Al栅电极结构的柔性CIGS薄膜太阳电池器件。本发明直接在柔性衬底上制备多层结构Mo薄膜作为背电极层,不仅具有良好的导电性,而且可以有效避免基底材料中杂质元素对CIGS薄膜的扩散和渗透,替代阻挡层作用。本发明无需传统柔性电池制备方法中所需的阻挡层,工艺简单,易于控制,成膜均匀性好,适于工业化规模生产。 |
申请公布号 |
CN105355676A |
申请公布日期 |
2016.02.24 |
申请号 |
CN201510795225.5 |
申请日期 |
2015.11.18 |
申请人 |
北京四方创能光电科技有限公司;北京四方继保自动化股份有限公司 |
发明人 |
张宁;余新平;张伟;孙哲 |
分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I |
代理机构 |
北京金阙华进专利事务所(普通合伙) 11224 |
代理人 |
吴鸿维 |
主权项 |
一种柔性CIGS薄膜太阳电池的背电极结构,其特征在于:直接在柔性衬底上通过磁控溅射法沉积多层Mo薄膜作为柔性CIGS薄膜太阳电池的背电极,随后在Mo背电极上依次制备CIGS吸收层、CdS缓冲层、本征ZnO层、AZO层、Ni‑Al栅电极。 |
地址 |
100085 北京市海淀区上地四街9号四方大厦 |