| 发明名称 | 大功率MOSFET逆变半桥器件 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供了一种大功率MOSFET逆变半桥器件，包括底板，间隔设置于所述底板上的两块水冷板，以及对称设置在两块水冷板上的两组MOS管、二极管和阻容吸收器件，两组MOS管、二极管和阻容吸收器件的供电端均连接于所处水冷板上，两块水冷板分别电连接于外部直流电源的正、负极，相对于所述MOS管、二极管和阻容吸收器件在两块水冷板的另一侧端面上分别设有冷却铜管。本实用新型所述的大功率MOSFET逆变半桥器件可提高逆变半桥器件的散热性能，且降低其杂散电感。 | ||
| 申请公布号 | CN205051593U | 申请公布日期 | 2016.02.24 |
| 申请号 | CN201520807192.7 | 申请日期 | 2015.10.16 |
| 申请人 | 保定四方三伊电气有限公司 | 发明人 | 闫颖;武敏智;李亚斌;高胜利;王玉杰 |
| 分类号 | H02M7/00(2006.01)I;H05K7/20(2006.01)I | 主分类号 | H02M7/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种大功率MOSFET逆变半桥器件，包括底板，间隔设置于所述底板上的两块水冷板，以及对称设置在两块水冷板上的两组MOS管、二极管和阻容吸收器件，两组MOS管、二极管和阻容吸收器件的供电端均连接于所处水冷板上，两块水冷板分别电连接于外部直流电源的正、负极，其特征在于：相对于所述MOS管、二极管和阻容吸收器件在两块水冷板的另一侧端面上分别设有冷却铜管。 | ||
| 地址 | 071051 河北省保定市高新区北三环5999号 | ||