薄膜晶体管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法。该薄膜晶体管包括一基板、一栅极、一栅绝缘层、一源极与一漏极、一通道层、一第一图案化保护层以及一第二图案化保护层。栅极配置于基板上。栅绝缘层配置于栅极上。源极与漏极配置于栅绝缘层上。通道层位于源极与漏极上方或下方，其中通道层的一部分暴露于源极与漏极之间。第一图案化保护层配置于通道层的部分上，其中第一图案化保护层的材料包括一金属氧化物，且第一图案化保护层的厚度为50埃至300埃。第二图案化保护层覆盖第一图案化保护层、栅绝缘层以及源极与漏极。

主权项

一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：一基板；一栅极，配置于该基板上；一栅绝缘层，配置于该栅极上；一源极与一漏极，配置于该栅绝缘层上；一通道层，位于该源极与该漏极上方，其中该通道层的一部分暴露于该源极与该漏极之间；以及一第一图案化保护层，配置于该通道层的该部分上，其中该第一图案化保护层的材料包括一金属氧化物，且该第一图案化保护层的厚度为50埃至300埃，该金属氧化物包括氧化铝、氧化钛、氧化铪或氧化钽，其中，该第一图案化保护层与该通道层是利用同一道光掩膜而同时形成；一第二图案化保护层，直接覆盖并接触该第一图案化保护层、该源极与该漏极，该第二图案化保护层的材料包括一有机绝缘材料，该有机绝缘材料包括丙烯酸聚合物、环烯烃聚合物、环氧树脂、硅氧烷、氟聚合物或其组合，该第二图案化保护层的厚度为0.2微米至3微米，该通道层与该第一图案化保护层通过相同的物理气相沉积工艺在未破真空的状态下形成，该第二图案化保护层使用涂布方式形成。