| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。由LOCOS构成供nLDMOS器件的栅电极(G)搭上的平台绝缘膜(SL)，由STI构成元件分离部(SS)。另外，在形成有多个nLDMOS器件的激活区域的最外周设置与漏极区域(D)电位相同的护环。而且，隔着该护环在激活区域的周边形成元件分离部(SS)，并且使平台绝缘膜(SL)和元件分离部(SS)不相连，使两者分离。 | ||
| 申请公布号 | CN102971855B | 申请公布日期 | 2016.02.24 |
| 申请号 | CN201080067653.1 | 申请日期 | 2010.06.21 |
| 申请人 | 瑞萨电子株式会社 | 发明人 | 小清水亮;庭山英树;梅津和之;添田弘毅;馆上敦;饭岛健史 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L21/8222(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I;H01L29/47(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 杨宏军;马立荣 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其在被形成在衬底上的半导体层的主面上的元件分离部包围的激活区域内具有场效应晶体管，所述场效应晶体管包括：沿第一方向形成的源极区域；与所述源极区域隔开规定距离地形成在所述源极区域的周边的平台绝缘膜；在与所述第一方向垂直的第二方向的所述源极区域的两侧隔着所述平台绝缘膜且沿所述第一方向形成的漏极区域；以及一部分搭于所述平台绝缘膜上，且隔着栅极绝缘膜形成在所述源极区域和所述漏极区域之间的所述半导体层的主面上的栅电极，所述半导体器件的特征在于，在所述激活区域的最外周，在所述第一方向上的所述平台绝缘膜和所述元件分离部之间、及所述第二方向上的所述平台绝缘膜和所述元件分离部之间的所述半导体层上形成有半导体区域，所述元件分离部和所述平台绝缘膜隔着第一方向和第二方向上的半导体区域而分离，所述平台绝缘膜由LOCOS构成，所述元件分离部由在形成于所述半导体层的槽的内部埋入绝缘膜的STI构成，所述平台绝缘膜的厚度比所述元件分离部的厚度薄。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||