自旋扭矩转移存储器单元结构及方法

摘要

本文中描述自旋扭矩转移STT存储器单元结构及方法。一个或一个以上STT存储器单元结构包含定位于铁磁性存储材料与和反铁磁性材料接触的钉扎铁磁性材料之间的隧穿势垒材料。所述隧穿势垒材料为多铁性材料且所述反铁磁性材料、所述铁磁性存储材料及所述钉扎铁磁性材料定位于第一电极与第二电极之间。

主权项

一种自旋扭矩转移STT存储器单元结构，其包括：隧穿势垒材料，其定位于铁磁性存储材料与和反铁磁性材料接触的钉扎铁磁性材料之间；其中所述隧穿势垒材料为多铁性材料，且其中所述反铁磁性材料、所述铁磁性存储材料及所述钉扎铁磁性材料定位于第一电极与第二电极之间，及其中所述存储器单元结构包含第三电极，所述第三电极经配置以响应于所述第三电极与所述第一电极及所述第二电极中的至少一者之间的所施加电压而将电场提供到所述多铁性材料。