发明名称 | 在Si基上制备InP基n-MOS器件的方法 | ||
摘要 | 一种在Si基上制备InP基n-MOS器件的方法,包括以下步骤:在硅衬底上生长二氧化硅层;采用光刻和RIE方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的<110>方向刻蚀出多个沟槽;分别用piranha、SC<sub>2</sub>、HF和去离子水清洗,除去沟槽底部剩余的二氧化硅层,露出硅衬底;采用低压MOCVD的方法,在沟槽内依次生长P型InP缓冲层、P型GaInAs缓冲层和GaInAs沟道层;采用化学抛光的方法,将超出沟槽的GaInAs沟道层抛光,抛光至与二氧化硅层齐平;采用离子注入的方法在GaInAs沟道层的两端制备两个N+高掺杂区,并用金属引出两个源极和漏极,形成基片;采用原子束沉积的方法,在基片的上表面覆盖一层Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>绝缘层;在源极和漏极之间的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>绝缘层上制备栅极,完成InP基的n-MOS器件的制备。 | ||
申请公布号 | CN103065973B | 申请公布日期 | 2016.02.24 |
申请号 | CN201310023622.1 | 申请日期 | 2013.01.22 |
申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 李士颜;周旭亮;于红艳;李梦珂;米俊萍;潘教青 |
分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
主权项 | 一种在Si基上制备InP基n‑MOS器件的方法,包括以下步骤:步骤1:在硅衬底上生长二氧化硅层;步骤2:采用光刻和RIE方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的<110>方向刻蚀出多个沟槽;步骤3:分别用piranha、SC<sub>2</sub>、HF和去离子水清洗,除去沟槽底部剩余的二氧化硅层,露出硅衬底;步骤4:采用低压MOCVD的方法,在沟槽内依次生长P型InP缓冲层、P型GaInAs缓冲层和GaInAs沟道层,该P型GaInP缓冲层的厚度为450‑550nm,掺杂浓度为4*10<sup>17</sup>/cm<sup>3</sup>,原子配比为Ga<sub>0.47</sub>In<sub>0.53</sub>,该GaInAs沟道层的厚度为250‑350nm,掺杂浓度为1*10<sup>17</sup>/cm<sup>3</sup>,原子配比为Ga<sub>0.47</sub>In<sub>0.53</sub>;步骤5:采用化学抛光的方法,将超出沟槽的GaInAs沟道层抛光,抛光至与二氧化硅层齐平;步骤6:采用离子注入的方法在GaInAs沟道层的两端制备两个N+高掺杂区,并用金属引出两个源极和漏极,形成基片,N+高掺杂区的掺杂源为Si,Si掺杂浓度为1*10<sup>19</sup>/cm<sup>3</sup>;步骤7:采用原子束沉积的方法,在基片的上表面覆盖一层Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>绝缘层,该Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>绝缘层的厚度为6‑10nm;步骤8:在源极和漏极之间的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>绝缘层上制备栅极,完成InP基的n‑MOS器件的制备。 | ||
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