NiO/Nb:SrTiO₃光电双控多级阻变存储器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有稳定光电双控性能的氧化镍-铌钛酸锶（NiO/Nb:SrTiO₃）结在多级阻变存储器方面的应用，属于半导体非易失性存储技术领域。本发明的阻变材料是NiO/Nb:SrTiO₃P-N结，所述存储器由P型氧化镍（NiO）薄膜、N型掺铌碳酸锶（Nb:SrTiO₃）基底，铟（In）上、下电极组成。本发明提供的具有稳定光电双控性能的多级阻变存储器，具有良好的稳定性，耐疲劳，能反复循环使用。无论单电源，单光源还是光电双控都能使其工作，是一种光源和电源均可触发的高开关比的多级阻变存储器。在不方便连接电源的场合（如野外，宇宙空间等）可以仅依靠光源触发。由于其高开关比和优良的稳定性，所以在使用过程中，有效地避免了误操作现象的出现。原料全部采用氧化物，制备温度低，工艺简单，节能环保，应用场合广泛。

主权项

一种基于NiO/Nb:SrTiO₃ P‑N结的光电双控阻变存储器，其特征是上述阻变存储器能够在电触发、光触发或光电同时触发下实现阻态的变化。