| 发明名称 | III族氮化物低损伤刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种III族氮化物结构低损伤刻蚀方法，包括：在III族氮化物结构上形成刻蚀掩膜，所述III族氮化物结构形成于衬底上；以及利用刻蚀掩膜对III族氮化物结构进行刻蚀，其特征在于：在刻蚀过程中，衬底温度动态改变或者在200℃到700℃之间的一个恒定温度点保持恒定。 | ||
| 申请公布号 | CN105355550A | 申请公布日期 | 2016.02.24 |
| 申请号 | CN201510868081.1 | 申请日期 | 2015.12.02 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 刘新宇;黄森;王鑫华;魏珂 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/306(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 吕雁葭 |
| 主权项 | 一种III族氮化物结构低损伤刻蚀方法，包括：在III族氮化物结构上形成刻蚀掩膜，所述III族氮化物结构形成于衬底上；以及利用刻蚀掩膜对III族氮化物结构进行刻蚀，其特征在于：在刻蚀过程中，衬底温度动态改变或者在200℃到700℃之间的一个恒定温度点保持恒定。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||