| 发明名称 | 一种LED外延结构及制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种LED外延结构及制作方法，从下至上依次包括：衬底、第一导电类型半导体层、超晶格、具有V型坑的多量子阱层、空穴注入层以及第二导电类型半导体层，其特征在于：所述空穴注入层呈双六角锥，填满所述V型坑并嵌入第二导电类型半导体层。 | ||
| 申请公布号 | CN105355741A | 申请公布日期 | 2016.02.24 |
| 申请号 | CN201510729267.9 | 申请日期 | 2015.11.02 |
| 申请人 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 发明人 | 张洁;朱学亮;杜成孝;刘建明;徐宸科 |
| 分类号 | H01L33/14(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/14(2010.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种LED外延结构，从下至上依次包括：衬底、第一导电类型半导体层、超晶格、具有V型坑的多量子阱层、空穴注入层以及第二导电类型半导体层，其特征在于：所述空穴注入层呈双六角锥，填满所述V型坑并嵌入第二导电类型半导体层。 | ||
| 地址 | 361009 福建省厦门市思明区吕岭路1721-1725号 | ||