一种具有高发光效率的发光二极管的制作方法

摘要

一种具有高发光效率的发光二极管的制作方法，涉及发光二极管的生产技术领域。本发明采用位错线密集区设置于P型电极下面，一方面提高发光二极管的晶体质量，有效提高了发光二极管的内量子效率；另一方面通过后期位错阻挡层、P型电极的设计及制作，使得位错线密集区不会对发光二极管起到不利影响。采用同时在P型、N型设置电极制作区，且同时采用ICP蚀刻P型、N型电极制作区的工艺设计，有效简化了工艺流程及工艺复杂度。本发明采用在P型电极底下制作位错阻挡层，有效绝缘了P型电极底部P、N，提高了发光二极管的电流扩展效果和可靠性。

主权项

一种具有高发光效率的发光二极管的制作方法，其特征在于包括以下步骤：    1）采用ICP蚀刻法，在衬底表面形成形貌不同的PSS表面图形，在p电极设置区域的衬底上的PSS表面图形较其它区域大，且随着远离p电极设置区域，PSS表面图形呈现渐变减小的规律；2）采用MOCVD外延设备，在具有PSS表面图形的衬底上依次外延形成缓冲层、非故意掺杂层、n型导电层、有源区、电子阻挡层、p型导电层和p型欧姆接触层；3）采用衬底的PSS图形的表面形貌设计，在p电极设置区域内形成位错线密集区，所述位错线密集区由缓冲层贯穿至p型欧姆接触层；4）经过标准的掩膜、光刻过程，在欧姆接触层上同时定义出P电极台面、N电极台面、切割道；5）采用ICP，在定义的p电极台面区域内刻蚀去除p型欧姆接触层、p型导电层、电子阻挡层、有源区和部分n型导电层，形成p电极台面；且同时在定义的n电极台面区域内刻蚀去除p型欧姆接触层、p型导电层、电子阻挡层、有源区和部分n型导电层，形成n电极台面；6）在p电极设置区域裸露的n型导电层上制作位错阻挡层；7）在部分位错阻挡层上表面和p型欧姆接触层上制作ITO透明导电层；8）在位错阻挡层上制作p电极，在n型导电层上制作n电极；9）在芯片侧面和表面同时蒸镀SiO₂形成芯片保护层；在n电极和外延层之间蒸镀SiO₂形成电极隔离层。