| 发明名称 | 大容差耦合波导 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种大容差耦合波导装置，包括依次叠置的衬底层、下包层、波导层及上包层，所述下包层、波导层及上包层在结构上均包括输入端和输出端，激光光束从波导输入端照射，从输出端出射，其中，所述波导层包括具有预定图形分布的二氧化硅和硅。该大容差耦合波导可与硅基面上光源一起使用，作为硅基光子集成芯片的光源发射部分。本发明通过特殊的波导结构设计，实现大容差高效耦合，能够形成高效的面上集成光源，其可通过事先对激光器进行选择，然后再集成到硅基上来实现，可实现更高的功率，工艺难度小。 | ||
| 申请公布号 | CN105353461A | 申请公布日期 | 2016.02.24 |
| 申请号 | CN201510922990.9 | 申请日期 | 2015.12.14 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 张冶金;郑婉华;王海玲;渠红伟;王宇飞 |
| 分类号 | G02B6/122(2006.01)I;G02B6/13(2006.01)I | 主分类号 | G02B6/122(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 吕雁葭 |
| 主权项 | 一种大容差耦合波导装置，包括依次叠置的衬底层(10)、下包层(11)、波导层(12)及上包层(13)，所述下包层(11)、波导层(12)及上包层(13)在结构上均包括输入端和输出端，激光光束从波导输入端照射，从输出端出射，其中，所述波导层(12)包括具有预定图形分布的二氧化硅和硅。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||