槽栅AlGaN/GaN HEMT器件结构及制作方法

摘要

一种复合栅浮空场板槽栅AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法，包括从下至上依次复合的衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、本征AlGaN层和AlGaN掺杂层，在AlGaN掺杂层之上的两端分别设有源电极和漏电极，在靠近漏电极的AlGaN掺杂层上设有LiF层，在该LiF层上设有浮空场板；在该LiF层与源电极之间设有有机绝缘介质层，在该有机绝缘介质层的上面和旁边设有栅场板；在AlGaN掺杂层上面的裸露区域设有钝化层。本发明利用PTFE层和ITO栅场板提高了器件的击穿电压；利用LiF层和Al浮空场板减小了器件栅漏之间的导通电阻；利用栅场板和浮空场板，进一步提高了器件的击穿电压。

主权项

一种复合栅浮空场板槽栅AlGaN/GaN HEMT器件结构，其特征在于，包括从下至上依次复合的衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、本征AlGaN层和AlGaN掺杂层，在AlGaN掺杂层之上的两端分别设有源电极和漏电极，在靠近漏电极的AlGaN掺杂层上设有LiF层，在该LiF层上设有浮空场板；在该LiF层与源电极之间的AlGaN掺杂层上设有有机绝缘介质层，在该有机绝缘介质层旁边的AlGaN掺杂层上设有栅极槽，在该栅极槽内和有机绝缘介质层的上面设有栅场板；在AlGaN掺杂层上面的裸露区域设有钝化层。