发明名称 |
两亲性钌配合物单分子膜定向修饰的HOPG基片及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种两亲性钌配合物单分子膜定向修饰的HOPG基片及其制备方法,其是将两亲性钌配合物分子中的芘基通过非共价键的作用固定在HOPG导电基片上而制得,本发明的方法操作简单,组装层在HOPG基底上修饰均匀充分,在室温下使用简单容器即可操作,无需特殊条件和设备,经定向修饰后的HOPG基片具有优良的电化学活性,制备的薄膜具有良好的机械和化学稳定性,薄膜的厚度可控等诸多优点。 |
申请公布号 |
CN104446645B |
申请公布日期 |
2016.02.24 |
申请号 |
CN201410637336.9 |
申请日期 |
2014.11.13 |
申请人 |
昆明理工大学 |
发明人 |
王华;杨丽;李孔斋;魏永刚;祝星 |
分类号 |
H01G9/20(2006.01)I |
主分类号 |
H01G9/20(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种两亲性钌配合物单分子膜定向修饰的HOPG基片,其特征在于:将两亲性钌配合物分子中的芘基通过非共价键的作用固定在HOPG导电基底上,形成两亲性钌配合物单分子膜定向修饰的HOPG基片,其中两亲性钌配合物的化学结构式如下:<img file="dest_path_image001.GIF" wi="397" he="210" />。 |
地址 |
650093 云南省昆明市五华区学府路253号 |