提高LED抗静电能力的外延生长方法及其外延结构

摘要

本发明提供了一种提高LED抗静电能力的外延生长方法及其外延结构，由下至上依次包括衬底、低温缓冲GaN层、不掺杂GaN层、N型GaN层、GaN层、多量子阱发光层、电子阻挡层和P型GaN层，其中，GaN层从下至上依次包括,厚度为47-52nm的掺杂Si的第一GaN层，厚度为98-103nm掺杂Si的AlGaN层，厚度为18-22nm的掺杂Si的第二GaN层，三层总体厚度为160-190nm。本发明采用高温、氢气氛围生长的GaN/AlGaN含Si的GaN复合层取代了传统的GaN含Si的InGaN:Si复合层，弥补了传统的结构位错密度高、晶体质量差的缺点，保持Si的掺杂曲线，并缩短生产时间。

主权项

一种提高LED抗静电能力的外延生长方法，其特征在于，包括衬底处理、生长低温缓冲GaN层、生长不掺杂GaN层、生长N型GaN层、生长GaN层、生长多量子阱发光层、生长电子阻挡层、生长P型GaN层步骤，其中生长GaN层步骤具体为：A、在1200‑1300℃、500mbar压力、氢气气氛的反应室内，生长一层厚度为47‑52nm的掺杂Si的GaN层，Si的掺杂浓度为5E+18‑7E+18atom/cm³；B、在上述掺杂Si的GaN层基础上，生长一层厚度为98‑103nm的掺杂Si的AlGaN层，Si的掺杂浓度为1E+17‑3E+17atom/cm³，Al的掺杂浓度为1E+20‑2E+20atom/cm³；C、在上述掺杂Si的AlGaN层基础上，生长一层厚度为18‑22nm的掺杂Si的GaN层，Si的掺杂浓度为1E+17‑3E+17atom/cm³；步骤A、B、C所生长的三层的总生长时间为4‑5min；总体厚度为160‑190nm。