基于扭转闪耀光栅检测的磁场传感器及其制备方法

摘要

本发明提供一种基于扭转闪耀光栅检测的磁场传感器及其制备方法，包括：1）提供半导体基底，在半导体基底表面形成第一凹槽；2）在第一凹槽内形成磁性薄膜结构；3）提供键合基底，将半导体基底与键合基底键合；4）在键合后的半导体基底表面形成闪耀光栅结构；5）对半导体基底进行刻蚀以形成扭转闪耀光栅结构；6）对磁性薄膜结构进行磁化处理。本发明直接在传感器芯片制造阶段将闪耀光栅结构和磁性薄膜结构集成在单一芯片上，大大简化了磁场传感器的制作工艺流程；该磁场传感器可以工作在水下、地底、无线传感网节点等电源受限或存在强电磁干扰等场合，具有小型化、高灵敏度、低成本、可批量化制作、使用范围广泛。

主权项

一种基于扭转闪耀光栅检测的磁场传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)提供半导体基底，在所述半导体基底表面形成第一凹槽；2)在所述第一凹槽内形成磁性薄膜结构；3)提供键合基底，将所述半导体基底与所述键合基底键合，形成有所述第一凹槽的表面为键合面；4)在键合后的所述半导体基底表面对应于所述磁性薄膜结构的位置形成闪耀光栅结构；5)依据所述磁性薄膜结构及所述闪耀光栅结构的位置对所述半导体基底进行刻蚀，以形成扭转闪耀光栅结构；6)对所述磁性薄膜结构进行磁化处理，以使所述磁性薄膜结构能够在与其磁化方向垂直的磁场作用下产生相应的磁扭矩。