具有屏蔽栅的沟槽栅MOSFET的制造方法

摘要

本发明公开了一种具有屏蔽栅的沟槽栅MOSFET的制造方法，包括步骤：形成沟槽；形成由依次叠加的第一氧化膜、第二氮化膜和第三氧化膜组成底部介质层；形成第一层多晶硅；对第一层多晶硅进行回刻形成多晶硅屏蔽栅；采用热氧化工艺形成多晶硅间隔离氧化层；进行湿法腐蚀将多晶硅屏蔽栅顶部的沟槽侧壁的第三氧化膜去除；形成第二层多晶硅。本发明能消除多晶硅间隔离氧化层中的空洞结构，提高多晶硅间隔离氧化层的性能，增加栅极到源极的耐压、提高击穿电压以及降低漏电。

主权项

一种具有屏蔽栅的沟槽栅MOSFET的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供半导体衬底，采用光刻刻蚀工艺在所述半导体衬底的栅极形成区域中形成沟槽；步骤二、在所述沟槽底部表面和侧壁表面形成底部介质层，所述底部介质层也延伸到所述沟槽外部的所述半导体衬底表面；所述底部介质层由依次叠加的第一氧化膜、第二氮化膜和第三氧化膜组成；步骤三、在所述底部介质层表面形成第一层多晶硅，所述第一层多晶硅将所述沟槽完全填充；步骤四、对所述第一层多晶硅进行回刻，该回刻将所述沟槽外部的所述第一层多晶硅完全去除，将所述沟槽中顶部的所述第一层多晶硅去除，由保留于所述沟槽底部的所述第一层多晶硅组成多晶硅屏蔽栅；步骤五、采用热氧化工艺对所述多晶硅屏蔽栅上的顶部硅进行氧化形成多晶硅间隔离氧化层；步骤六、进行湿法腐蚀，所述湿法腐蚀将所述多晶硅屏蔽栅顶部的所述沟槽侧壁的所述第三氧化膜去除，所述湿法腐蚀过程中利用所述第二氮化膜的保护作用使所述多晶硅屏蔽栅顶部的所述沟槽侧壁的所述第一氧化膜和所述第二氮化膜保留，以保留在所述多晶硅屏蔽栅顶部的所述沟槽侧壁的所述第一氧化膜和所述第二氮化膜作为栅介质层；步骤七、形成第二层多晶硅，所述第二层多晶硅将形成有所述栅介质层和所述多晶硅间隔离氧化层的所述沟槽完全填充，由填充于所述沟槽顶部的所述第二层多晶硅组成多晶硅栅。