一种具有高发光效率的发光二极管

摘要

一种具有高发光效率的发光二极管，涉及发光二极管的生产技术领域，在朝向缓冲层的衬底表面设置形貌不同的PSS表面图形，在p电极下方设置位错阻挡层，所述位错阻挡层设置在p电极设置区域内的ITO透明导电层以下至部分n型导电层；在位错阻挡层下方设置位错线密集区，所述位错线密集区设置在p电极设置区域内的部分n型导电层以下至非故意掺杂层。本发明在位错阻挡层下设置位错集合区，减少发光区域的位错密度，改善了发光区域的外延晶体质量，减弱大工作电流下Efficiency-Droop效应及提高了发光二极管的可靠性；采用位错阻挡层起到了增加P电极的电流扩展效果，有效提高发光二极管的发光效率。

主权项

一种具有高发光效率的发光二极管，包括衬底，在衬底上依次设置缓冲层、非故意掺杂层、n型导电层、有源区、电子阻挡层、p型导电层、p型欧姆接触层和ITO透明导电层，在n型导电层上连接n电极，在n电极侧面和外延层侧面设置电极隔离层，在p型导电层上连接p电极，在芯片表面设置芯片保护层；其特征在于在朝向缓冲层的衬底表面设置形貌不同的PSS表面图形，在p电极设置区域的衬底上的PSS表面图形较其它区域大，且随着远离p电极设置区域，PSS表面图形呈现渐变减小的规律；在p电极下方设置位错阻挡层，所述位错阻挡层设置在p电极设置区域内的ITO透明导电层以下至部分n型导电层；在位错阻挡层下方设置位错线密集区，所述位错线密集区设置在p电极设置区域内的部分n型导电层以下至非故意掺杂层。