| 发明名称 | 一种氢钝化氧化锌基双沟道层薄膜晶体管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种氢钝化氧化锌基双沟道层薄膜晶体管及其制备方法。本发明的薄膜晶体管以氢等离子体钝化处理的氧化锌超薄层和纯氧化锌厚层为双沟道层，其制备方法为：以生长有一层二氧化硅的硅片为基底，对纯氧化锌靶材进行射频磁控溅射，同时通过掩膜板沉积在基底上形成的纯氧化锌超薄层；对纯氧化锌超薄层进行原位氢等离子体处理，然后继续沉积纯氧化锌厚层；再采用直流溅射掩膜板沉积制备Al电极得到氢钝化氧化锌基双沟道层薄膜晶体管。本发明通过氢钝化氧化锌超薄层来提高载流子浓度，纯氧化锌厚层来调节器件的阈值电压。本发明的薄膜晶体管具有电子迁移率较高、亚阈值摆幅低、电学稳定性好，开关比高等优点；其制备工艺简单，成本低。 | ||
| 申请公布号 | CN105355663A | 申请公布日期 | 2016.02.24 |
| 申请号 | CN201510866302.1 | 申请日期 | 2015.11.30 |
| 申请人 | 武汉大学 | 发明人 | 廖蕾;阿布来提·阿布力孜;刘传胜;郭太良 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/34(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人 | 常海涛 |
| 主权项 | 一种氢钝化氧化锌基双沟道层薄膜晶体管，其特征在于：以氢等离子体钝化处理的氧化锌超薄层和纯氧化锌厚层为薄膜晶体管的双沟道层；超薄层的厚度为3～10 nm，厚层的厚度为15～30nm。 | ||
| 地址 | 430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学 | ||