一种全彩氮化镓基LED芯片结构

摘要

本发明公开了一种全彩氮化镓基LED芯片结构，包括氮化镓基的LED晶圆，LED晶圆包括衬底，衬底上依次设置有N-GaN层、发光层和P-GaN层，LED晶圆外设置有透明绝缘的光阻层，光阻层内不同区域分别掺入不同颗粒度和不同种类的量子点，使LED芯片形成红光区和绿光区。本发明的全彩氮化镓基LED芯片，利用掺有量子点的光阻层，将氮化镓基的LED晶圆发出的蓝光分别转化成红光和绿光，配合蓝光形成全彩光；同时，由于光阻层是采用软性的光刻胶制成，可取代钝化层更好的起到保护作用；光阻层取代钝化层还减少了设置钝化层和蚀刻钝化层两道工序，提高了LED发光芯片的生产效率，并降低制造成本。

主权项

一种全彩氮化镓基LED芯片结构，其特征在于：包括氮化镓基的LED晶圆，所述LED晶圆包括衬底（10），所述衬底（10）上依次设置有N‑GaN层（20）、发光层（30）和P‑GaN层（40），LED晶圆外设置有透明绝缘的光阻层（60），所述光阻层（60）内不同区域分别掺入不同颗粒度和不同种类的量子点，使LED芯片形成红光区和绿光区。