| 主权项 |
一种发光装置，其至少具有半导体发光元件作为发光要素，该发光装置的特征在于，从所述发光装置射出的光在主辐射方向上包含离ANSI C78.377中定义的黑体辐射轨迹的距离D<sub>uvSSL</sub>为‑0.0350≦D<sub>uvSSL</sub><0的光，并且，设从所述发光装置在该辐射方向上射出的光的光谱分布为φ<sub>SSL</sub>(λ)、根据从所述发光装置在该辐射方向上射出的光的相关色温T<sub>SSL</sub>(K)选择的基准光的光谱分布为φ<sub>ref</sub>(λ)、从所述发光装置在该辐射方向上射出的光的三刺激值为(X<sub>SSL</sub>、Y<sub>SSL</sub>、Z<sub>SSL</sub>)、根据从所述发光装置在该辐射方向上射出的光的相关色温T<sub>SSL</sub>(K)选择的基准光的三刺激值为(X<sub>ref</sub>、Y<sub>ref</sub>、Z<sub>ref</sub>)，将从所述发光装置在该辐射方向上射出的光的归一化光谱分布S<sub>SSL</sub>(λ)、根据从所述发光装置在该辐射方向上射出的光的相关色温T<sub>SSL</sub>(K)选择的基准光的归一化光谱分布S<sub>ref</sub>(λ)、以及这些归一化光谱分布的差ΔS(λ)分别定义为：S<sub>SSL</sub>(λ)＝φ<sub>SSL</sub>(λ)/Y<sub>SSL</sub>S<sub>ref</sub>(λ)＝φ<sub>ref</sub>(λ)/Y<sub>ref</sub>ΔS(λ)＝S<sub>ref</sub>(λ)‑S<sub>SSL</sub>(λ)设波长380nm以上780nm以内的范围中实现了S<sub>SSL</sub>(λ)的最长波长极大值的波长为λ<sub>R</sub>(nm)时，在比λ<sub>R</sub>更靠长波长侧的位置存在成为S<sub>SSL</sub>(λ<sub>R</sub>)/2的波长Λ4，由下式(3)表示的指标A<sub>cg</sub>满足‑360≦A<sub>cg</sub>≦‑10，<img file="FDA0000842079500000011.GIF" wi="1598" he="183" /> |
