一种100V肖特基二极管台面制作方法

摘要

本发明属于电子元件技术领域，涉及一种100V肖特基二极管台面制作方法。本发明在于不增加产品尺寸的基础上，通过对势垒区台面腐蚀形成沟槽，达到增加肖特基势垒金属面积、降低正向压降的目的；硅腐蚀液中的HNO₃对硅起氧化作用，HF对硅起腐蚀作用，HAC是在腐蚀过程对整个腐蚀过程起缓冲作用，使整个硅的过程沟槽表面均匀光滑；在衬底硅片势垒区上溅射Ni-Pt60合金靶材，形成稳定的Ni-Pt60合金镀层，利用金属Ni与Pt金属的不同特性，降低了漏电流和正向压降，提高了产品结温。

主权项

一种100V肖特基二极管台面制作方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）、对衬底硅片进行清洗，甩干待用；（2）、对清洗后的衬底硅片进行初始氧化；（3）、对氧化后的衬底硅片正面进行基区光刻，在衬底硅片P+环上注入硼，再进行退火处理；（4）、对完成退火处理的衬底硅片进行引线孔光刻；（5）、在完成引线孔光刻的衬底硅片势垒区台面上进行台面光刻，形成沟槽图形；（6）、使用硅腐蚀液对衬底硅片势垒区台面上的沟槽图形进行腐蚀，使衬底硅片势垒区台面上形成完整的沟槽；（7）、对完成腐蚀的衬底硅片势垒区上溅射Ni‑Pt60合金靶材，形成Ni‑Pt60合金镀层；（8）、对完成溅射的衬底硅片依次进行势垒区金属合金、势垒区金属腐蚀和势垒区金属清洗；（9）、对完成势垒区金属清洗的衬底硅片依次进行Ti金属蒸发、Ni金属蒸发和Ag金属蒸发，使得衬底硅片上由内向外形成Ti金属镀层、Ni金属镀层和Ag金属镀层；（10）、对完成金属蒸发的衬底硅片依次进行正面金属光刻、正面金属腐蚀、正面金属去胶和正面金属合金；（11）、对完成正面金属合金的衬底硅片进行电性测试、减薄、背面去应力腐蚀，划片入库。