一种晶片钝化工艺

摘要

一种晶片钝化工艺。涉及一种新型的汽车芯片PN结的钝化工艺。方便加工，提高产品质量和使用寿命。以正面开口沟槽的晶片为原料；包括以下步骤：S1，清洗、甩干；S2，一次氧化；S3，二次氧化；S4，三次氧化；S5，降温；S6，晶片生成氧化膜钝化层，完毕。本发明中将晶片进行三次氧化加工，一次干氧提升生长的氧化膜的质量；二次氧化能快速增加氧化膜的厚度；三次干氧的作用是生长一层厚度致密的氧化膜，能起到很好的阻挡作用；三次氧化即可形成一个既厚，又有致密性能的氧化膜，提升了产品的质量；然后，按照正常工序进行二次黄光、使用BOE溶液去除氧化膜和金属化操作，完成产品生产。本发明提高了产品的使用寿命和可靠性。

主权项

一种晶片钝化工艺，其特征在于，以正面开口沟槽的晶片为原料；包括以下步骤：S1，清洗、甩干，对晶片进行RCA清洗，再通过甩干机甩干；S2，一次氧化，将甩干后的晶片送至温度为600℃的扩散炉内，然后，升温至1100±50℃，通入掺氯的干氧气氛进行氧化，时间为0.5‑1.5h，在晶片的正面、背面形成单层厚度为1000‑2000埃的SiO₂氧化膜；S3，二次氧化，将一次氧化后的晶片放置于扩散炉的湿氧气氛中氧化，氧化温度为1100±50℃，时间为3‑8h，在晶片的正面、背面形成单层厚度为8000‑16000埃的SiO₂氧化膜；S4，三次氧化，将二次氧化后的晶片放置于扩散炉的干氧气氛中氧化，氧化温度为1100±50℃，时间为0.5‑1.5h，在晶片的正面、背面形成单层厚度为1000‑2000埃的SiO₂氧化膜；    S5，降温，将三次氧化后总膜厚度为10000‑20000埃的晶片按1‑2℃/min的速度从1100±50℃降温至600℃；S6，晶片生成氧化膜钝化层，完毕。