一种光刻工艺对准方法

摘要

本发明涉及光刻工艺技术领域，尤其涉及一种光刻工艺对准方法，提供一待光刻半导体衬底，在所述半导体衬底表面沉积高吸光性膜形成预对准标记之前，先于该半导体衬底的表面蚀刻出新的对准光罩以形成预对准图形，再基于所述预对准标记对所述半导体衬底进行前层对准操作，利用预对准标记沉积形成的光罩形貌作为对准，对准光不需要穿透高吸光性膜层，避免了光的大量吸收而实现曝光对准。

主权项

一种光刻工艺对准方法，其特征在于，包括：提供一待光刻半导体衬底；于所述半导体衬底上制备预对准图形；沉积硬光罩膜覆盖所述半导体衬底的表面，以在所述预对准图形上形成预对准标记；基于所述预对准标记对所述半导体衬底进行前层对准操作后，继续对所述半导体衬底进行所述光刻工艺；其中，所述硬光罩膜具有吸光特性。