| 发明名称 | 一种Na<sub>2</sub>In<sub>2</sub>GeSe<sub>6</sub>非线性光学晶体及制法和用途 | ||
| 摘要 | 一种Na<sub>2</sub>In<sub>2</sub>GeSe<sub>6</sub>非线性光学晶体及制法和用途；该Na<sub>2</sub>In<sub>2</sub>GeSe<sub>6</sub>非线性光学晶体不具备有对称中心，属单斜晶系，空间群为Cc，其晶胞参数为：<img file="DDA0000850730120000011.GIF" wi="284" he="62" /><img file="DDA0000850730120000012.GIF" wi="557" he="64" />α＝γ＝90°，β＝108.70°，Z＝4；Na<sub>2</sub>In<sub>2</sub>GeSe<sub>6</sub>可采用高温熔体自发结晶法或坩埚下降法生长；该Na<sub>2</sub>In<sub>2</sub>GeSe<sub>6</sub>非线性光学晶体的生长方法中，晶体具有生长速度较快、成本低、易获得较大尺寸晶体；所得Na<sub>2</sub>In<sub>2</sub>GeSe<sub>6</sub>非线性光学晶体具非线性光学效应大、透光波段宽，硬度大，机械性能好，易加工等优点；该Na<sub>2</sub>In<sub>2</sub>GeSe<sub>6</sub>非线性光学晶体可用于制作非线性光学器件。 | ||
| 申请公布号 | CN105350082A | 申请公布日期 | 2016.02.24 |
| 申请号 | CN201510796238.4 | 申请日期 | 2015.11.18 |
| 申请人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明人 | 姚吉勇;周墨林;李超;李小双;张国春;吴以成 |
| 分类号 | C30B29/46(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/46(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 | 代理人 | 王宇杨;陈琳琳 |
| 主权项 | 一种Na<sub>2</sub>In<sub>2</sub>GeSe<sub>6</sub>非线性光学晶体，该Na<sub>2</sub>In<sub>2</sub>GeSe<sub>6</sub>非线性光学晶体不具备有对称中心，属单斜晶系，空间群为Cc，其晶胞参数为：<img file="FDA0000850730090000014.GIF" wi="580" he="63" /><img file="FDA0000850730090000013.GIF" wi="254" he="63" />α＝γ＝90°，β＝108.70°，Z＝4。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村东路29号 | ||