| 发明名称 | 发光二极管 | ||
| 摘要 | 公开了一种发光二极管(LED)，该LED包括：发光堆叠结构，包括第一接触层和位于第一接触层的至少一部分上的台面结构；第一电极结构，位于第一接触层上，并包括第一电极焊盘以及从第一电极焊盘延伸的延伸部分；第二电极结构，位于台面结构上，其中，第一电极结构包括形成在第一电极焊盘下面的焊盘型电流屏蔽层以及形成在第一电极结构的延伸部分下面的点图案电流屏蔽层，延伸部分包括与第一接触层接触的另一部分。 | ||
| 申请公布号 | CN105355748A | 申请公布日期 | 2016.02.24 |
| 申请号 | CN201510665509.2 | 申请日期 | 2011.04.05 |
| 申请人 | 首尔伟傲世有限公司 | 发明人 | 金艺瑟;郑多娟;金京完;尹馀镇;吴尚炫 |
| 分类号 | H01L33/40(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/40(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 刘灿强 |
| 主权项 | 一种发光二极管，所述发光二极管包括：发光堆叠结构，包括第一接触层和位于第一接触层的至少一部分上的台面结构；第一电极结构，位于第一接触层上，并包括第一电极焊盘以及从第一电极焊盘延伸的延伸部分；以及第二电极结构，位于台面结构上，其中，第一电极结构包括形成在第一电极焊盘下面的焊盘型电流屏蔽层以及形成在第一电极结构的延伸部分下面的点图案电流屏蔽层，延伸部分包括与第一接触层接触的另一部分。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道安山市 | ||