发明名称 |
一种刻蚀方法 |
摘要 |
本发明提供一种刻蚀方法,用于刻蚀蓝宝石衬底,所述方法包括以下步骤:在所述蓝宝石衬底上设置具有预定高度的掩膜层;对所述掩膜层进行图形化处理,得到具有所需图形的掩膜;对所述掩膜进行预处理,使得所述蓝宝石衬底与预处理后的掩膜之间的刻蚀选择比大于或等于预定值;对所述蓝宝石衬底进行主刻蚀;对主刻蚀后的蓝宝石衬底进行过刻蚀。本发明通过调整掩膜的高度,同时提高掩膜的耐刻性,能够较大程度地减少过刻蚀步骤所需的时间,从而降低了刻蚀图形化蓝宝石衬底的整体工艺时间,提高了生产效率。 |
申请公布号 |
CN105355538A |
申请公布日期 |
2016.02.24 |
申请号 |
CN201410413794.4 |
申请日期 |
2014.08.21 |
申请人 |
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
发明人 |
张君;刘利坚 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 |
代理人 |
彭瑞欣;张天舒 |
主权项 |
一种刻蚀方法,用于刻蚀蓝宝石衬底,其特征在于,所述方法包括以下步骤:S1、在所述蓝宝石衬底上设置具有预定高度的掩膜层;S2、对所述掩膜层进行图形化处理,得到具有所需图形的掩膜;S3、对所述掩膜进行预处理,使得所述蓝宝石衬底与预处理后的掩膜之间的刻蚀选择比大于或等于预定值,且小于1。 |
地址 |
100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号 |