发明名称 一种大尺寸c取向蓝宝石单晶的生长方法
摘要 本发明公开了一种大尺寸c取向蓝宝石单晶的生长方法,包括放置籽晶、装料、抽真空、启动氦气、加热化料、晶体生长、降温退火、检测及处理等步骤;本发明将目前使用的直径260mm坩埚增大至直径285mm坩埚,无需变动原热场,对长晶参数进行优化,投料量从37kg增加至60kg,从而提高了生产效率,降低了成本。
申请公布号 CN103215632B 申请公布日期 2016.02.24
申请号 CN201310113549.7 申请日期 2013.04.02
申请人 苏州海铂晶体有限公司 发明人 许海波;刘海滨;娄中士;姚亮
分类号 C30B11/00(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I;C30B29/20(2006.01)I 主分类号 C30B11/00(2006.01)I
代理机构 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人 巩克栋
主权项 一种大尺寸c取向蓝宝石单晶的生长方法,其特征在于,包括下述步骤:(1)放置籽晶:将c取向籽晶放置在直径285mm坩埚的籽晶槽内;(2)装料:将高纯氧化铝原料放入坩埚内,关闭炉盖,启动冷却水循环系统;(3)抽真空:启动真空系统,将炉腔压力抽至0.015Torr以下;(4)启动氦气:启动氦气冷却系统,调节氦气流量为40~100slm,防止化料过程中籽晶完全熔化;(5)加热化料:启动加热系统升温,以3.33KW/h增加功率,升至11.55KW后,以11.55KW/h升至61KW,以3℃/h升温,当探测融化位置达到目标值上方120mm时,以1.25℃/h进行升温,直至高纯氧化铝开始熔化,控制使籽晶部分熔化;(6)晶体生长:先以1℃/h降温,氦气流量每小时增加1slm,再以降温速率分别为0.3℃/h和0.12℃/h降温,每12h进行探测,计算晶体生长速率,如生长速率超过1.8mm/h,将降温速率根据实际测量数值降低,直至连续探测3次探针位置相同时,确认晶体已完成生长,再进行24h的降温;(7)降温退火:坩埚位置以2mm/h上升,降低功率以0.6KW/h、0.3KW/h、0.2KW/h、0.2KW/h分别降低至30KW、8KW、2KW直至0KW,在退火阶段开始时,并以20slm充入氩气,直至达到500Torr,冷却24小时后进行卸载;(8)检测及处理:对出炉晶锭进行检测,是否有晶界、气泡、开裂,然后切除头尾,画图进行掏棒。
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