| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，属于显示装置制造技术领域，其可解决现有的结晶氧化物有源层晶化过程中的高温的问题。本发明的薄膜晶体管的制备方法，包括在基底上形成诱导层薄膜和与其接触的氧化物有源层薄膜；对完成上述步骤的基底进行加热，并通过诱导层薄膜/诱导层的诱导作用使得氧化物有源层晶化形成结晶氧化物有源层。 | ||
| 申请公布号 | CN103972110B | 申请公布日期 | 2016.02.24 |
| 申请号 | CN201410162697.2 | 申请日期 | 2014.04.22 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 王东方;陈江博 |
| 分类号 | H01L21/34(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 柴亮;张天舒 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在基底上形成诱导层薄膜和与其接触的氧化物有源层薄膜，所述诱导层的材料为具有六方晶格结构或六方晶格衍生结构的金属，其中，所述形成结晶氧化物有源层具体包括：对形成有诱导层薄膜和氧化物有源层薄膜基底放入含氧气体并加热，使氧化物有源层在诱导层的作用下形成结晶氧化物有源层薄膜，同时诱导层薄膜形成氧化物诱导层薄膜；对完成上述步骤的基底进行加热，并通过诱导层薄膜的诱导作用使得氧化物有源层晶化形成结晶氧化物有源层。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||