| 发明名称 | 闪存的制作方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种闪存的制作方法。该闪存包括第一栅极单元和第二栅极单元，第一栅极单元包括第一栅极、第一隔离件、第一源极区和第一漏极区，第二栅极单元包括第二栅极、第二隔离件、第二源极区和第二漏极区，制作方法包括第一栅极单元的制作过程和第二栅极单元的制作过程，在进行第一栅极单元的制作过程时，利用有机材料保护已经制作完成的第二栅极或第二栅极单元；或者在进行第二栅极单元的制作过程时，利用有机材料保护已经制作完成的第一栅极或第一栅极单元。通过本申请，解决了在存储单元上沉积的用于保护单元的物质难以去除的问题，进而达到了快速彻底去除为保护存储单元而沉积的物质的效果。 | ||
| 申请公布号 | CN105355600A | 申请公布日期 | 2016.02.24 |
| 申请号 | CN201410412986.3 | 申请日期 | 2014.08.20 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 杨芸;李绍彬;仇圣棻 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 李志刚;吴贵明 |
| 主权项 | 一种闪存的制作方法，所述闪存包括第一栅极单元和第二栅极单元，所述第一栅极单元包括第一栅极、第一隔离件、第一源极区和第一漏极区，所述第二栅极单元包括第二栅极、第二隔离件、第二源极区和第二漏极区，所述制作方法包括所述第一栅极单元的制作过程和所述第二栅极单元的制作过程，其特征在于，在进行所述第一栅极单元的制作过程时，利用有机材料保护已经制作完成的所述第二栅极或第二栅极单元；或者在进行所述第二栅极单元的制作过程时，利用有机材料保护已经制作完成的所述第一栅极或第一栅极单元 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||