发明名称 |
一种发光二极管芯片结构、封装结构及其制备方法 |
摘要 |
本发明提供一种发光二极管芯片结构,包括芯片,所述芯片包括导电基板和位于导电基板上的外延层,所述外延层包括P型批覆层和N型批覆层,所述P型批覆层和N型批覆层之间设有发光层;所述芯片还包括第一电极和第二电极,所述第一电极与外延层上方连接,第二电极与导电基板下方连接;所述导电基板下部的两侧及第二电极的两侧沿垂直方向均贯穿有第一凹槽。本发明结构简单,通过设计的凹槽,使得封装时,导电银胶能够限制在凹槽的内角处,有效的避免了银胶过量导致的芯片漏电失效问题。 |
申请公布号 |
CN105355752A |
申请公布日期 |
2016.02.24 |
申请号 |
CN201510710696.1 |
申请日期 |
2015.10.27 |
申请人 |
天津三安光电有限公司 |
发明人 |
吴超瑜;吴俊毅;王笃祥 |
分类号 |
H01L33/48(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/48(2010.01)I |
代理机构 |
天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 |
代理人 |
刘莹 |
主权项 |
一种发光二极管芯片结构,其特征在于:包括芯片,所述芯片包括导电基板和位于导电基板上的外延层,所述外延层包括P型批覆层和N型批覆层,所述P型批覆层和N型批覆层之间设有发光层;所述芯片还包括第一电极和第二电极,所述第一电极与外延层上方连接,第二电极与导电基板下方连接;所述导电基板下部的两侧及第二电极的两侧沿垂直方向均贯穿有第一凹槽。 |
地址 |
300384 天津市滨海新区高新区华苑产业区海泰南道20号 |