| 发明名称 | 肖特基二极管用外延片及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种肖特基二极管用外延片及其制备方法，该外延片位错少、晶体质量更好。该肖特基二极管用外延片，包括层叠的衬底及成核层，所述成核层为多层且依次层叠。所述成核层的层数为2~6层。所述成核层均为GaN层或AlN层。所述外延片还包括非掺杂层、重掺杂层及轻掺杂层，所述衬底、成核层、非掺杂层、重掺杂层、轻掺杂层依次层叠。 | ||
| 申请公布号 | CN105355650A | 申请公布日期 | 2016.02.24 |
| 申请号 | CN201510725976.X | 申请日期 | 2015.10.30 |
| 申请人 | 江苏能华微电子科技发展有限公司 | 发明人 | 李仕强;王东盛;苗操;李亦衡;魏鸿源;严文胜;张葶葶;朱廷刚 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人 | 孙仿卫 |
| 主权项 | 一种肖特基二极管用外延片，包括层叠的衬底及成核层，其特征在于：所述成核层为多层且依次层叠。 | ||
| 地址 | 215600 江苏省苏州市张家港市国泰北路1号 | ||